• Articolo , 25 maggio 2010
  • Nuova efficienza per il solare a concentrazione

  • La Spire Corporation segna il nuovo record mondiale per le celle a concentrazioni in arseniuro di gallio (GaAs) e annuncia: “nei prossimi quattro mesi ci supereremo”

(Rinnovabili.it) – Ben 41% a 500x soli. Se per alcuni questo dato non comunica nulla, è invece ricco di significato per la Spire Corporation (controllata di Spire Semiconductor) e lo diverrà probabilmente a breve anche per l’industria del solare.
Si tratta, infatti, del nuovo indice di efficienza per il fotovoltaico a concentrazione ottenuto nei laboratori della società e confermato ufficialmente da National Renewable Energy Laboratory (NREL) del Dipartimento statunitense dell’energia.
Il record mondiale così raggiunto in questo caso si applica a celle a tripla giunzione già pronte per la produzione e dotate di un’area foto attiva di 1 cm quadrato.
Spire Semiconductor ha iniziato a lavorare su questo risultato con il laboratorio del DOE a partire dal 2009, in un progetto della durata complessiva di 18 mesi “Si tratta di un ottimo risultato”, ha detto Roger G. Little, Presidente e CEO di Spire Corporation. “Abbiamo sperimentato il miglioramento continuo delle nostre celle elaborando il design tecnologico in accordo con il NREL. Siamo entusiasti di aver raggiunto l’attuale record mondiale d’efficienza, e abbiamo altri quattro mesi per superare questo livello e raggiungere l’obiettivo del 42,5% d’efficienza”.